傳輸介面的 ESD 保護
隨著高密度串流需求持續攀升，資料中心與各類裝置對高速資料傳輸的需求也不斷提高。USB 傳輸速率已提升至最高 40 Gbps，而 USB PD 則支援更快速的充電能力。然而，在插拔瞬間或電壓波動時的突波防護，仍然是系統設計中的一項關鍵挑戰。
超高速介面
超高速傳輸介面對訊號損耗與空間配置有特定要求，因此必須採用低電容且小型化的元件。
資訊
超高速介面選擇 ESD／EOS 保護元件的關鍵因素：
- 採用低電容元件，以維持良好的訊號完整性。
- 確保符合 IEC 61000-4-2 標準（接觸放電 ≥ 8 kV）。
- 較低的箝位電壓可提供更佳的保護效果。
- 符合訊號品質要求，包括插入損耗（Insertion Loss）與眼圖（Eye Diagram）測試規範。
Frequency and capacitance estimation formula：
頻率 vs 電容
- 訊號頻率越高，所需電容必須越低。
- 為了在高頻下維持良好的訊號完整性，ESD 保護元件必須具備超低電容特性。
- 隨著頻率提升，可接受的電容值需隨之降低，以避免訊號失真、插入損耗增加與眼圖劣化。
- 典型設計準則： 由 ESD 元件形成的 RC 濾波器，其截止頻率應至少為訊號頻率的 2–3 倍以上。
典琦科技 提供 CPDWZ5V0SBP-HF 系列產品，具備更低的箝位電壓與更低的電容值，並針對各類傳輸介面進行最佳化設計。這些元件在眼圖分析與 S21 插入損耗測試中皆展現出優異的效能表現。其中，超低電容型號 CPDWZ5V0P-HF 的電容值低至 0.08 pF。
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